铬是金属晶体吗_铬是金属吗
京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置专利,可解决...金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置“公开号CN117355947A,申请日期为2022年2月。专利摘要显示，一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，可解决是什么。
京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管专利,可解决现有金属氧化物薄膜...金融界2023年12月1日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管、半导体器件及显示装置“公开号CN117157765A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示，本公开提供一种金属氧化物薄膜晶体管、半导体器件及显示装置，属于显示好了吧！
京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管及显示面板专利,使得载流子迁移率...金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管及显示面板“公开号CN117546302A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示，本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管，该金属氧化物薄膜晶体管包括：设置在衬等会说。
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龙腾光电申请金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法专利...金融界2023年12月23日消息，据国家知识产权局公告，昆山龙腾光电股份有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法“公开号CN117276195A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，等会说。
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天合光能申请回收晶体硅太阳能电池中金属银的方法专利,实现金属银...金融界2024年2月26日消息，据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“回收晶体硅太阳能电池中金属银的方法“公开号CN117587245A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请涉及金属分离纯化技术领域，特别是涉及一种回收晶体硅太阳能电池中金属银的方后面会介绍。
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台积电取得鳍式场效晶体管装置专利,可通过金属氧化物层退火使离子...台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“鳍式场效晶体管装置的形成方法“授权公告号CN109427590B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，本公开实施例提供鳍式场效晶体管装置及其形成方法，此方法包含形成栅极介电层以及沉积金属氧化物层于栅极介电层上。此方法也包等我继续说。
动力源取得直流开关专利,提高金属‑氧化物半导体场效应晶体管的...为提高直流开关中的金属‑氧化物半导体场效应晶体管的安全性而发明。包括开关主电路、驱动控制电路及开关采样电路，开关主电路包括MOS管，所述驱动控制电路的输入端用于连接控制器的输出端，驱动控制电路的输出端连接于MOS管；开关采样电路包括输入电压采样电路及输出电流后面会介绍。
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...结构及其形成方法专利,可实现多金属线横向延伸并电连接多个晶体管IC结构包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，位于衬底上；以及第一金属化层和第二金属化层，位于晶体管上方。第一金属化层具有多个第一金属线，多个第一金属线沿第一方向横向延伸并且具有在第二方向上测量的第一线宽度。第一金属线中的一个或多个是电连接第后面会介绍。
...能实现制造包括双栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的半导体设备金融界2024年2月6日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司申请一项名为“三维(3D)双栅极半导体“公开号CN117529817A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示，本发明公开了包括双栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的半导体设备及其制造方法。该双栅极MOS晶体管包括好了吧！
华为公司申请晶体管的结构和制备方法专利,可以降低沟道与接触金属...源极和漏极均包括重掺杂金属化合物二维材料以及至少一层金属层，沟道层由二维材料形成，重掺杂金属化合物二维材料与沟道层的侧面接触，重掺杂金属化合物二维材料沉积于第一高K介电层之上，且沉积厚度高于沟道层的厚度，本申请提供的晶体管，可以降低沟道与接触金属之间的接触电后面会介绍。
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