硅是什么晶体结构_硅是什么晶体

成都世源频控取得一种减振结构、制作方法及具备该减振结构的晶体...金融界2024年9月25日消息,国家知识产权局信息显示,成都世源频控技术股份有限公司取得一项名为“一种减振结构、制作方法及具备该减振结构的晶体振荡器”的专利,授权公告号CN 118408001 B,申请日期为2024年7月。

卓胜微申请绝缘体上硅结构及其制备方法专利,有效减少浮体效应江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“绝缘体上硅结构及其制备方法“公开号CN117276287A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本申请涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法,包括:绝缘体上硅衬底,绝缘体上硅衬底包括埋氧层,埋氧层内埋设有第一栅极;晶体管结构,位于绝缘等会说。

河北同光半导体取得超高真空碳化硅原料合成炉系统专利,由其制备的...本发明公开一种超高真空碳化硅原料合成炉系统,涉及碳化硅合成技术领域,由其制备的高纯碳化硅粉体原料能够广泛用于半导体碳化硅单晶体的生长及高纯碳化硅陶瓷样品的制备。本发明所述的超高真空碳化硅原料合成炉系统中,炉室为圆筒形立式双层水冷结构,炉室上安装炉盖,炉盖为好了吧!

长鑫存储申请静电保护结构、可控硅整流器和半导体存储器专利,能够...长鑫存储技术有限公司申请一项名为“静电保护结构、可控硅整流器和半导体存储器“公开号CN117239685A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本公开实施例公开了一种静电保护结构、可控硅整流器和半导体存储器,该静电保护结构包括:衬底;形成于衬底中的晶体管,晶体管的第一还有呢?

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在空气中可规模化制备钙钛矿/晶体硅叠层太阳电池的溶剂工程方法提出首次提出了一种在空气中可规模化制备钙钛矿/晶体硅叠层太阳电池的溶剂工程方法。这一方法使得钝面纹理钙钛矿/晶体硅叠层太阳电池实现了29.4%的光电转换效率,并且经过德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所第三方认证效率为28.7%。其中大尺寸金字塔结构(2—3微米)和在16平方厘后面会介绍。

人类基因组镌刻于五维“永恒”记忆晶体中科技日报北京9月20日电(记者刘霞)据英国南安普敦大学官网19日报道,该校科学家成功将完整的人类基因组镌刻于一块五维(5D)记忆晶体中。基因组中约30亿个字母,每个字母都被测序了150次,以确保其处于合适位置。研究人员利用超快激光,将数据精确地刻入二氧化硅内的纳米结构空等我继续说。

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探索原子世界:最新显微镜技术揭露材料科学的神秘面纱这将对船体钢材及多个行业的电子产品定制硅产生深远的影响。林格教授表示:“我们的研究在材料科学领域取得了重大突破。”作为航空航天、机械和机电工程学院的材料工程师,他补充说:“除了晶体结构和对称性外,我们还希望深入了解晶体内部原子尺度的邻域关系。SRO为我们提好了吧!

中国石化获得发明专利授权:“四氢双环戊二烯的制备方法”其中催化剂包括镍和二氧化硅的复合物,镍为晶体结构,二氧化硅为无定形结构。该方法通过采用晶态镍和无定形二氧化硅的复合物作为催化剂,使得整个反应过程副反应少,转化率和收率均较高,可实现四氢双环戊二烯稳定、连续地高效生产。今年以来中国石化新获得专利授权688个,较去好了吧!

三星申请半导体专利,专利技术提升了半导体装置的制作效率一种半导体装置包括:在第一方向上延伸的下图案;第一阻挡结构,其在所述下图案上,并且包括至少一个第一阻挡膜,所述第一阻挡膜包括掺氧晶体硅膜;源极/漏极图案,其在所述第一阻挡结构上;以及栅极结构,其在所述下图案上在第二方向上延伸并且包括栅电极和栅极绝缘膜。还讨论了相关后面会介绍。

华为公司申请半导体器件专利,降低射频损耗衬底结构及射频芯片“公开号CN117855246A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本申请提供一种半导体器件、其制作方法、衬底结构及射频芯片。该半导体器件可以包括:硅衬底层,位于硅衬底层之上的外延层,以及位于外延层之上的晶体管。硅衬底层可以包括:相互独立的多个第一小发猫。

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